DRAM案：聯電重申與美光雙方技術不同
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針對聯電與美光之間美國法律案件的後續聲明，重申聯電已累積近15年DRAM製造的經驗，
擁有150人開發團隊，且先進量產技術達14奈米，而美光爭執所涉及的DRAM技術是32奈米
，已經是落後幾個世代的技術。
還有，聯電與晉華聯合開發DRAM製程，是一個符合合理商業考量的單純商業交易，當時美
中貿易戰尚未開始，且聯電的DRAM技術基礎裡的元件設計，是完全不同於美光公司的設計
。而事實上，美光開發25奈米的DRAM技術，來自美光公司在2010年初，購買了台灣的瑞晶
公司和日本的爾必達公司的25奈米 DRAM技術。
聯電公司聲明內容如下：
聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不
可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。對比之下，美光公司爭執所涉及的DRAM技術，是
32奈米，在聯華電子的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。
社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且
是極端的不實。從1996年到2010年，聯華電子積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在
某個時間點上，聯華電子內部DRAM團隊人數，超過150人。聯華電子是一個有組織的企業
機構，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗。舉個例子來說，現
任聯華電子共同總經理之一的簡山傑，是1996年時開發DRAM產品的RAM 製程開發經理。另
一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM夥伴之一，
該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯華電子的技術進行DRAM製造。除
了傳統的DRAM技術外，2009年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術，這
比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。
聯華電子同意與晉華公司聯合開發DRAM製程，這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開
的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向
台灣政府正式提出申請，主管機關亦已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是，那時
還未聽說有中美貿易戰。
自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM製程技術，履行合約義務，聯華電子已經花費了數
億新台幣。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司
工作過。
相反於美光所提出民事和刑事訴訟製造的假象，聯華電子的DRAM技術基礎裡的元件設計，
是完全不同於美光公司的設計。簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存
單元，這與美光公司的2x3佈局的儲存單元是完全不同的。
另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25奈米的DRAM技術。事實是，美光公司在2010
年初，購買了台灣的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米 DRAM技術。
聯華電子不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯
華電子對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力並積極地自我防衛。
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聯電公司發出聲明表示美光公司所提出的DRAM爭執是不合理且不實的，聯電已發展此技術
多年且元件設計也與美光完全不同。
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